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據(jù)日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆(ROHM)將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導體，以碳化硅(SiC)為原材料。
據(jù)悉，羅姆花費約20年推進研發(fā)碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉(zhuǎn)的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。
據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產(chǎn)，還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元(約合人民幣114億元)，并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。
公開資料顯示， 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。
